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Datasheet下载- 型号： PSMN045-80YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN045-80YS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN045-80YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN045-80YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN045-80YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 24A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN045-80YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN045-80YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN045-80YS,115 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和高可靠性的场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性，适用于电源管理和功率转换系统。 主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：用于电动工具、工业自动化设备和机器人系统中的电机控制。 3. 电池管理系统：在电动车、储能系统和便携设备中用于充放电控制。 4. 负载开关：作为高效率开关用于控制电源分配，如服务器、通信设备中的电源管理模块。 5. 汽车电子：支持车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求高的应用。 该MOSFET采用高性能Trench技术，封装形式为LFPAK，具备良好的散热性能，适合高密度、高效率的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH LFPAKMOSFET N-CHAN 80V 17A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN045-80YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN045-80YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 56 W |
| Pd-功率耗散 | 56 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 675pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5587-6 |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 配置 | Single |
