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PSMN045-80YS,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN045-80YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN045-80YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN045-80YS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 24A(Tc) 56W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN045-80YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN045-80YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN045-80YS,115是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET(单管),采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅4.5 mΩ @ Vgs=10V,6.0 mΩ @ Vgs=4.5V)、高雪崩耐量及优异的热性能。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST转换器的主开关或同步整流管,提升效率与功率密度; - 电机驱动:适用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制、风扇驱动、电动工具等,支持PWM高频开关(最高达数百kHz),响应快、损耗低; - 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、平板、IoT设备中用作电池保护、USB端口限流开关或系统级电源域控制,支持逻辑电平驱动(兼容3.3V/5V MCU GPIO); - LED照明驱动:用于恒流调光电路或LED矩阵开关,具备快速开关特性与低传导损耗; - 汽车电子辅助系统:通过AEC-Q101认证,可用于车身控制模块(BCM)、座椅调节、车窗升降等12V车载应用(非安全关键路径)。 该器件兼顾高性能与可靠性,适合对能效、尺寸和成本敏感的中高功率通用开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH LFPAKMOSFET N-CHAN 80V 17A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN045-80YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN045-80YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 56 W |
| Pd-功率耗散 | 56 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 675pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5587-6 |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
| 配置 | Single |