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  • 型号: PSMN045-80YS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN045-80YS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN045-80YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN045-80YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN045-80YS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 24A(Tc) 56W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN045-80YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN045-80YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia的PSMN045-80YS,115是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET(单管),采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅4.5 mΩ @ Vgs=10V,6.0 mΩ @ Vgs=4.5V)、高雪崩耐量及优异的热性能。其主要应用场景包括:

- DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST转换器的主开关或同步整流管,提升效率与功率密度;  
- 电机驱动:适用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制、风扇驱动、电动工具等,支持PWM高频开关(最高达数百kHz),响应快、损耗低;  
- 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、平板、IoT设备中用作电池保护、USB端口限流开关或系统级电源域控制,支持逻辑电平驱动(兼容3.3V/5V MCU GPIO);  
- LED照明驱动:用于恒流调光电路或LED矩阵开关,具备快速开关特性与低传导损耗;  
- 汽车电子辅助系统:通过AEC-Q101认证,可用于车身控制模块(BCM)、座椅调节、车窗升降等12V车载应用(非安全关键路径)。

该器件兼顾高性能与可靠性,适合对能效、尺寸和成本敏感的中高功率通用开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH LFPAKMOSFET N-CHAN 80V 17A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN045-80YS,115-

数据手册

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产品型号

PSMN045-80YS,115

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

56 W

Pd-功率耗散

56 W

RdsOn-漏源导通电阻

45 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

675pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-5587-6

功率-最大值

56W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

45 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

80 V

漏极连续电流

24 A

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

配置

Single

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