Datasheet下载- 型号： STW13NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW13NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW13NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW13NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW13NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW13NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STW13NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率应用。该器件具有600V的漏源击穿电压和13A的连续漏极电流能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。 典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如AC-DC开关电源、DC-DC转换器，适用于工业电源、服务器电源和电信设备电源系统。 2. 电机驱动：用于电动工具、工业自动化设备及家电中的电机控制电路，提供高效、快速的开关性能。 3. 照明系统：如LED路灯、工业照明等高功率照明设备中的电源管理模块。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，作为功率开关元件，实现电能的高效转换。 5. 消费类电子产品：如大功率充电器、适配器等，满足高效节能标准（如80 PLUS）。 该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STW13NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-10996-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF244566?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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