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  • 型号: IRFP250NPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFP250NPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP250NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP250NPBF价格参考¥6.30-¥13.22。International RectifierIRFP250NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 200V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC。您可以下载IRFP250NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP250NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 30A TO-247ACMOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP250NPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFP250NPBF

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

214 W

Pd-功率耗散

214 W

Qg-GateCharge

82 nC

Qg-栅极电荷

82 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

75 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

43 ns

下降时间

33 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2159pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

123nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

75 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

*IRFP250NPBF

典型关闭延迟时间

41 ns

功率-最大值

214W

功率耗散

214 W

包装

散装

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

75 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

82 nC

标准包装

25

正向跨导-最小值

17 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

30 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp250n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp250n.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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