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NTMS5835NLR2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS5835NLR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS5835NLR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS5835NLR2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 9.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SOIC。您可以下载NTMS5835NLR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMS5835NLR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS5835NLR2G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关,用于高效能电源管理系统中,如笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 电机控制:用于小型电机驱动电路,如无人机、电动工具、机器人等设备中的电机开关控制。 3. 照明系统:在LED照明控制电路中作为开关元件,适用于汽车照明、工业照明和智能照明系统。 4. 电池供电设备:由于其低导通电阻和小封装,适用于电池供电设备中的功率开关,如便携式电子产品、智能穿戴设备等。 5. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动电路和工业传感器中的开关控制。 该器件采用SOT-223封装,具有良好的热性能和较高的可靠性,适合表面贴装,广泛应用于需要高效、小型化设计的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOICMOSFET NFET SO8-S 40V 10mOHM |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.2 A |
Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMS5835NLR2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMS5835NLR2G |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
Qg-GateCharge | 50 nC |
Qg-栅极电荷 | 50 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2115pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NTMS5835NLR2G-ND |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 10 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Ta) |
系列 | NTMS5835NL |
配置 | Single |