Datasheet下载- 型号： NTF6P02T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTF6P02T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTF6P02T3G价格参考。ON SemiconductorNTF6P02T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTF6P02T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTF6P02T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTF6P02T3G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件采用SOT-223封装，具有低导通电阻、高可靠性及良好的热性能，适用于多种电源管理与开关控制场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源开关和电池管理电路，用于实现负载开关或反向电流保护；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关元件，提高转换效率；还可用于电机驱动、LED驱动电源及各类消费类电子产品中的低电压控制系统。由于其P沟道特性，特别适合用于高端开关应用，简化栅极驱动设计。 此外，NTF6P02T3G符合RoHS环保要求，具备良好的温度稳定性，能在较宽的温度范围内稳定工作，因此也广泛应用于工业控制、家用电器和电源适配器等对可靠性和能效有较高要求的场合。总体而言，该型号以其高性能和高性价比，在中小功率电源开关领域具有广泛应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CHAN 10A 20V SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTF6P02T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NTF6P02T3GOSCT |
| 功率-最大值 | 8.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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