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Datasheet下载- 型号： SI7149ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7149ADP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7149ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7149ADP-T1-GE3价格参考￥询价-￥询价。VishaySI7149ADP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 30V 50A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7149ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7149ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7149ADP-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用小型化封装（如PowerPAK SO-8），具有低导通电阻、高开关效率和良好的热性能。该器件广泛应用于需要高效、紧凑设计的电源管理系统中。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的负载开关、电池电源管理及热插拔控制；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关使用，提升转换效率；适用于电源多路复用与反向电流阻断电路，防止电源倒灌；还可用于各类消费类电子产品和工业控制设备中的开关控制模块。 由于其具备出色的电气特性与可靠性，SI7149ADP-T1-GE3特别适合空间受限但对功耗和散热有较高要求的设计场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代化绿色电子产品制造。总体而言，它是一款高性能、高集成度的功率开关解决方案，适用于中低功率级别的电源管理应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 5.125 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET -30V 5.2mOhm@10V -50A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 50 A |
| Id-连续漏极电流 | - 50 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7149ADP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7149ADP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 43.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 43.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.2 V to - 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.5 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5125pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7149ADP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 58 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET Power MOSFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | SI7149ADP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
