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IRFR120NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120NPBF价格参考¥0.70-¥0.70。International RectifierIRFR120NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Tc) 48W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR120NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR120NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR120NPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRFR120NPBF常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC converters)中。它能够高效地控制电流的通断,适用于需要高效率和低损耗的电源系统。例如,在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源模块中,该MOSFET可以实现快速开关和稳定的电压输出。 2. 电机驱动 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)以及工业自动化设备中,IRFR120NPBF用于驱动电机。它可以通过PWM(脉宽调制)技术精确控制电机的速度和扭矩,确保电机运行平稳且节能。 3. 电池管理系统 该MOSFET也适用于电池管理系统(BMS),特别是在电动汽车和储能系统中。它可以作为充放电保护电路中的关键元件,防止过充、过放和短路等问题,确保电池的安全性和寿命。 4. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRFR120NPBF用于将直流电转换为交流电。它能够在高频条件下工作,提供高效的能量转换,减少热量损失,提高系统的整体性能。 5. 负载开关 在消费电子和通信设备中,IRFR120NPBF可以用作负载开关,控制不同负载的供电状态。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗,延长设备的续航时间。 6. 保护电路 IRFR120NPBF还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中。它具备较高的击穿电压和较低的导通电阻,能够在异常情况下迅速切断电流,保护后续电路免受损坏。 总结 IRFR120NPBF凭借其出色的电气特性(如低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度),在多种电力电子应用中表现出色,尤其适合对效率和可靠性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.1 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR120NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR120NPBF |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 210 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 210 毫欧 @ 5.6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 功率耗散 | 39 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 210 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 16.7 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 9.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.4A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr120n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr120n.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |