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IRFL9110TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL9110TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL9110TRPBF价格参考。VishayIRFL9110TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223。您可以下载IRFL9110TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL9110TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFL9110TRPBF 是一款P沟道MOSFET,具有-60V的漏源电压和-1.8A的连续漏极电流,适用于低功耗、高效率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于电池供电设备中的电源开关和负载切换,如便携式电子设备(智能手机、平板电脑、移动电源等),实现低静态电流和高效能。 2. DC-DC转换器:在同步降压或升压电路中作为高端或低端开关使用,配合N沟道MOSFET工作,提升转换效率。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的控制电路,尤其在低电压、小功率驱动模块中表现稳定。 4. LED驱动:用于LED照明系统的开关控制,支持PWM调光功能,具备快速开关响应能力。 5. 保护电路:可作为反向电池连接保护、过压/欠压保护电路中的开关元件,提高系统可靠性。 6. 工业与消费类电子产品:广泛应用于家电控制板、传感器模块、IoT设备和小型电源适配器中,实现紧凑设计与高可靠性。 IRFL9110TRPBF采用SOT-223封装,散热性能良好,适合表面贴装,便于自动化生产。其低导通电阻(RDS(on))和优化的栅极电荷特性,有助于降低功耗和发热,提升整体系统效率。由于符合RoHS标准且无铅,适用于对环保要求较高的产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL9110TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL9110TRPBFIRFL9110TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 660mA,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | *IRFL9110TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | 1.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.1A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |