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  • 型号: SI1469DH-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1469DH-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1469DH-T1-E3价格参考。VishaySI1469DH-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI1469DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1469DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI1469DH-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:该器件适用于DC-DC转换器、降压/升压转换器以及开关模式电源(SMPS)。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高系统效率。

2. 电机控制:可用于小型直流电机驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止及速度调节。

3. 负载切换:在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中用作负载开关,实现快速、高效的电源切换。

4. 电池保护:在电池管理系统(BMS)中,用于防止过流、短路等异常情况,确保电池安全运行。

5. 信号切换:在多路复用器或多路选择器应用中,可以精确地控制不同信号路径之间的切换。

6. 汽车电子:适用于车身控制模块、信息娱乐系统等汽车内部电子系统的电源管理和信号处理。

7. 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口和其他工业设备中的开关和控制功能。

由于其出色的电气性能和可靠性,SI1469DH-T1-E3适合多种高要求的应用场合,并能有效降低能耗,提升整体系统性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6MOSFET 20V 2.7A 2.78W 80 mohms @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

3.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1469DH-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI1469DH-T1-E3SI1469DH-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-漏源导通电阻

155 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

48 ns, 20 ns

下降时间

15 ns, 9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

470pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 2A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1469DH-T1-E3CT

典型关闭延迟时间

27 ns, 22 ns

功率-最大值

2.78W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

155 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

3.2 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI1469DH-E3

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