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  • 型号: FDMA7670
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMA7670产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA7670由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA7670价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA7670封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDMA7670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA7670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的FDMA7670是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。该器件采用先进的Trench MOS技术,具备低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on)),适合高效率开关应用。

FDMA7670常用于便携式电子设备中的电源开关与负载管理,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源等。其小型化封装(如DFN或PowerWLP)有助于节省PCB空间,非常适合对尺寸敏感的设计。此外,它也适用于DC-DC转换器、同步整流电路以及电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。

在电机驱动和LED照明驱动电路中,FDMA7670凭借快速开关能力和良好的热性能,可提升系统能效并降低功耗。由于其具备较高的雪崩耐受能力和优良的可靠性,也可用于工业控制、消费类电源适配器和USB PD快充方案中。

总之,FDMA7670凭借高效率、小体积和高可靠性,广泛应用于消费电子、便携设备和中低功率电源系统中,尤其适合追求节能与紧凑设计的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA7670PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMA7670

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.4 W

Pd-功率耗散

2.4 W

Qg-GateCharge

16 nC

Qg-栅极电荷

16 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V

上升时间

3 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1360pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15 毫欧 @ 11A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MLP(2x2)

其它名称

FDMA7670CT

功率-最大值

900mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

36 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Ta)

系列

FDMA7670

配置

Single

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