Datasheet下载- 型号： IRFR420APBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR420APBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR420APBF价格参考。VishayIRFR420APBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR420APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR420APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR420APBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRFR420APBF 的低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds = 500V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 可用作同步整流器或主开关管，在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器中提供高效的电能转换。 2. 电机驱动 - 在中小功率电机驱动电路中，IRFR420APBF 可作为功率开关器件，用于控制电机的启动、停止和调速。 - 其高耐压特性适合于需要较高工作电压的电机驱动场景。 3. 逆变器 - 适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中的功率转换模块。 - 在这些应用中，IRFR420APBF 可以实现高效的直流到交流的逆变功能。 4. 继电器替代 - 在需要快速切换和低功耗的应用中，可以使用 IRFR420APBF 替代传统机械继电器，减少触点磨损和噪声问题。 - 例如，汽车电子系统中的负载切换。 5. 负载开关 - 用于各种电子设备中的负载开关，控制不同负载的通断。 - 其低导通电阻能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中，IRFR420APBF 可以作为关键的开关元件。 - 利用其快速开关特性和高可靠性，确保电路在异常情况下安全运行。 7. 音频放大器 - 在某些功率音频放大器中，IRFR420APBF 可用于输出级，提供大电流驱动能力，同时保持较低的失真。 总结 IRFR420APBF 的主要优势在于其高击穿电压、低导通电阻以及良好的热稳定性，这使得它能够在高压、高频和高效率的应用场景中表现出色。无论是工业控制、消费电子还是汽车电子领域，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAKMOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR420APBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR420APBFIRFR420APBF |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR420APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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