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产品简介:
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IXYS品牌的IXFH16N50P3是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有16A电流承载能力和500V漏源击穿电压,采用TO-247封装,具备低导通电阻和优良的开关性能,适用于高电压、中高功率的应用场景。 其主要应用场景包括:工业电机驱动、开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器和不间断电源(UPS)系统。由于其具备良好的热稳定性和耐压能力,常用于中等功率电力电子设备中作为主开关元件。此外,IXFH16N50P3也广泛应用于太阳能逆变器、电焊机电源模块以及感应加热设备中,能够有效提升系统效率并降低能量损耗。 该MOSFET还适合在需要高频开关操作的电路中使用,如脉宽调制(PWM)控制电路,提供快速响应和较低的开关损耗。其坚固的结构设计使其在高温、高负载环境下仍能保持可靠运行,适用于严苛工业环境下的电力控制与转换需求。总体而言,IXFH16N50P3是一款高性能功率MOSFET,广泛服务于工业自动化、能源转换和电力管理领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFH16N50P3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | Polar3™ HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1515pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 8A,10V |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
功率-最大值 | 330W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |