Datasheet下载- 型号： BSO200N03S
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO200N03S由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO200N03S价格参考。InfineonBSO200N03S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO200N03S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO200N03S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BSO200N03S是一款N沟道MOSFET，属于低压、大电流应用的功率MOSFET。其主要参数包括30V耐压、200A连续漏极电流和极低的导通电阻（典型值约1.8mΩ），适用于高效率、高功率密度的电源系统。 该器件广泛应用于需要高效开关性能和低功耗损耗的场景。常见应用包括：直流-直流（DC-DC）转换器，如服务器、通信设备和高性能计算平台中的多相电压调节模块（VRM），用于为CPU、GPU等提供稳定供电；电池管理系统（BMS）中的充放电控制与保护电路；电动工具、电动自行车及轻型电动车的电机驱动和电源管理；以及工业电源、LED驱动电源和热插拔电源控制等。 BSO200N03S采用先进的封装技术（如PG-HSOF-8或类似），具备良好的热性能和电流承载能力，适合在紧凑空间内实现高效散热。其快速开关特性有助于减少能量损耗，提高整体系统能效。此外，在同步整流、负载开关和电源分配系统中也表现出优异性能。 总之，BSO200N03S凭借其低导通电阻、高电流能力和高可靠性，特别适用于对效率、体积和热管理要求较高的中低电压功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO200N03S_Rev1.5_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429e9c5425d |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSO200N03S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 8.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO200N03SINDKR |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
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