Datasheet下载- 型号： FQPF10N50CF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF10N50CF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF10N50CF价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF10N50CF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF10N50CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF10N50CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF10N50CF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） - 该 MOSFET 可用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。其 500V 的高击穿电压使其适合高压输入环境，如工业设备、家电和汽车电子中的电源模块。 2. 电机驱动 - 在电机控制中，FQPF10N50CF 可作为开关元件用于驱动直流电机或步进电机。它能够承受较高的电压和电流波动，适用于家用电器（如风扇、洗衣机）以及工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器 - 该器件可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，将直流电转换为交流电。其低导通电阻（典型值为 0.7 Ω）有助于减少能量损耗，提高效率。 4. 电磁阀和继电器驱动 - FQPF10N50CF 可用作电磁阀或继电器的驱动开关，适用于需要高电压切换的应用场景，如汽车电子系统、工业控制设备等。 5. 负载开关 - 在需要快速开启或关闭高电压负载的电路中，该 MOSFET 可以充当高效的负载开关，确保系统稳定运行并保护下游电路。 6. 保护电路 - 它可以用于过流保护、短路保护或浪涌保护电路中，利用其高耐压特性来防止瞬态电压对敏感电子设备的损害。 7. 汽车电子 - 由于其高压性能，FQPF10N50CF 可用于汽车电子系统中，例如启动电机控制、车载充电器、LED 照明驱动等。 特性优势： - 高击穿电压（500V）：适用于高压环境。 - 低导通电阻（Rds(on) = 0.7 Ω 典型值）：降低功耗，提高效率。 - 快速开关速度：适合高频应用。 - TO-220 封装：易于散热，适合功率应用。 总之，FQPF10N50CF 凭借其高压、高效和可靠的性能，广泛应用于各种工业、消费类和汽车电子领域，特别是在需要高电压切换和高效能管理的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FMOSFET 500V N-Ch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF10N50CFFRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF10N50CF |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 610 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 610 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2096pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 610 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 141 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | FQPF10N50CF |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
