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MMBT4401LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4401LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4401LT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorMMBT4401LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBT4401LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4401LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT4401LT1G 是德州仪器(Texas Instruments)推出的通用NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23表面贴装封装,具有高增益、低饱和压降和良好频率响应(fₜ ≈ 250 MHz)等特点。其典型应用场景包括: 1. 小信号放大:适用于音频前置放大、传感器信号调理(如温度、光敏电阻输出)等低功率模拟信号放大电路; 2. 开关控制:广泛用于微控制器(如MSP430、C2000系列)IO口驱动LED、继电器、小型电磁阀或MOSFET栅极,实现电平转换与负载开关; 3. 逻辑电平转换:在不同电压域系统(如3.3V MCU驱动5V外围)中作电平移位器; 4. 电源管理辅助电路:用于LDO使能控制、充电指示、过流检测的电流镜或比较器输入级; 5. 消费电子与工业模块:常见于便携设备(蓝牙耳机、遥控器)、电机驱动板(风扇调速)、PLC数字输入接口等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。 该器件符合AEC-Q101标准(部分批次),具备良好的温度稳定性(-55℃~+150℃)和ESD防护能力,适合批量自动化贴片生产。需注意:TI已将该型号列为“不推荐用于新设计”(NRND),建议新项目优先选用TI当前主推替代型号(如PUMH2/PMBT3904系列),但现有库存仍广泛用于成熟量产产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 40V 600MA SOT23两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4401LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT4401LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBT4401LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | MMBT4401L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |