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MMBT4401LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4401LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4401LT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorMMBT4401LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBT4401LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4401LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT4401LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件采用SOT-23小外形封装,具有体积小、可靠性高、性价比优等特点,广泛应用于各类电子设备中。 其典型应用场景包括: 1. 信号放大:适用于音频信号、传感器信号等小信号放大电路,常见于消费类电子产品如手机、耳机放大器、便携式音频设备中。 2. 开关控制:作为电子开关用于驱动继电器、LED、小型电机或逻辑电路的电平转换,广泛应用于家电控制板、电源管理模块和工业控制电路。 3. 电源管理:在DC-DC转换器、稳压电路或负载开关中作为通断元件,实现对电流路径的控制。 4. 通信设备:用于射频前端模块或接口电路中的信号切换与缓冲放大。 5. 汽车电子:因符合AEC-Q101车规认证,也常用于车载照明控制、传感器信号调理等非动力系统中。 MMBT4401LT1G具备较高的直流电流增益(hFE)和快速开关响应能力,最大集电极电流可达600mA,耐压值VCEO为40V,适合中低功率场景。其“G”后缀表示产品符合RoHS环保要求,适用于对环境标准有要求的现代电子产品制造。综上,该型号是一款用途广泛的通用型晶体管,特别适合空间受限但性能要求稳定的嵌入式系统和便携设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 40V 600MA SOT23两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4401LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT4401LT1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBT4401LT1GOSDKR |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | MMBT4401L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
频率-跃迁 | 250MHz |