Datasheet下载- 型号： ZX5T949GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZX5T949GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZX5T949GTA价格参考。Diodes Inc.ZX5T949GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZX5T949GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZX5T949GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZX5T949GTA是一款双极性晶体管（BJT），主要用于需要高频和高可靠性性能的电子电路中。该器件属于NPN型晶体管，具有良好的高频响应和较低的噪声特性，适用于以下几种典型应用场景： 1. 射频（RF）放大电路：ZX5T949GTA适用于无线通信系统中的射频信号放大，如基站、无线接入设备、Wi-Fi模块等，能够有效提升信号强度并保持良好的稳定性。 2. 高频开关电路：该晶体管可在高速开关电路中使用，例如在电源管理、DC-DC转换器或高频逆变器中，实现快速响应与高效能转换。 3. 音频放大器：虽然主要用于高频应用，但在某些低频高保真音频放大电路中也可作为前置放大器使用，提供较低的失真和良好的线性度。 4. 工业控制与传感器接口：可用于工业自动化系统中的信号处理和传感器信号放大，特别是在需要快速响应和稳定输出的场合。 5. 汽车电子系统：由于其可靠性和稳定性，ZX5T949GTA也可用于汽车电子中的点火控制、电机驱动或车载通信模块中。 总之，ZX5T949GTA适用于对高频性能、稳定性和可靠性有较高要求的电子系统中，广泛应用于通信、工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 30V LOW SAT SOT-223两极晶体管 - BJT PNP 30V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZX5T949GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZX5T949GTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 210mV @ 500mA，5.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1A，1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZX5T949GCT |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 110 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 70 at 5 A at 1 V, 10 at 20 A at 1 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 5.5 A |
| 频率-跃迁 | 110MHz |
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