数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5566-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5566-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC5566-TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC5566-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC5566-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5566-TD-E是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极性晶体管(BJT)。该晶体管主要应用于高频放大电路中,适用于需要良好高频特性和稳定性能的电子设备。 其典型应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:由于具备良好的高频响应特性,2SC5566常用于无线通信系统中的射频信号放大,如基站、无线接入设备等。 2. 音频放大器:在对音质要求较高的音频放大电路中,该晶体管可作为前置放大或驱动级使用,提供高增益和低噪声表现。 3. 开关电路:因其快速开关特性,也可用于数字电路或脉冲电路中的开关元件。 4. 电源管理电路:在一些DC-DC转换器或稳压电路中,作为控制和调节电流的元件。 5. 工业控制与测量设备:广泛应用于各类工业自动化设备、测试仪器中,作为信号处理和功率控制的关键部件。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于安装,适合高密度PCB布局,适用于消费类电子产品及工业级应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPO 4A 50V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 50V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5566-TD-E- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SC5566-TD-E |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 225mV @ 100mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | PCP |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V, 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 360 MHz, 400 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | PCP |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 3.5 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | 2SC5566 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V, 50 V |
集电极—基极电压VCBO | - 50 V, 100 V |
集电极—射极饱和电压 | - 105 V, 85 V |
集电极连续电流 | - 4 A, 4 A |
频率-跃迁 | 400MHz |