Datasheet下载- 型号： 2ST501T
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2ST501T由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2ST501T价格参考。STMicroelectronics2ST501T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2ST501T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2ST501T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的2ST501T是一款双极型晶体管（BJT），常用于需要低噪声、高增益和良好高频性能的电路设计中。该器件适用于多种电子设备和系统，主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：2ST501T具备良好的高频特性，适合用于射频信号的前置放大或中间频率放大，广泛应用于无线通信设备、接收机前端等。 2. 音频放大电路：由于其低噪声特性，2ST501T可用于高保真音频放大器的输入级，提升音频信号的清晰度与还原度。 3. 开关电路：在一些对响应速度要求较高的开关控制应用中，如数字逻辑电路或驱动继电器、LED等负载时，也可使用该晶体管作为开关元件。 4. 传感器信号调理：在工业自动化或测量仪器中，用于放大传感器微弱信号，提高信噪比和系统精度。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、便携式电子设备中的电源管理、信号处理模块等。 综上，2ST501T因其优良的电气特性和稳定性，广泛应用于通信、音频处理、自动控制及消费电子等多个领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,STMicroelectronics 2ST501T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2ST501T |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 2mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 2000 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 100W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大集电极截止电流 | 500 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 2000 |
| 系列 | 2ST501 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | - |
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