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  • 型号: ZXTN2010ASTZ
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN2010ASTZ由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN2010ASTZ价格参考。Diodes Inc.ZXTN2010ASTZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTN2010ASTZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTN2010ASTZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXTN2010ASTZ是Diodes Incorporated生产的一款NPN型双极性晶体管(BJT),具有较高电流增益和良好频率响应,适用于多种模拟与开关应用。该晶体管常用于以下应用场景:

1. 电源管理电路:如DC-DC转换器、负载开关等,作为高频开关元件使用,具备良好的热稳定性和效率。

2. 马达驱动与继电器控制:在小功率电机或继电器的驱动电路中,作为开关使用,控制负载的通断。

3. 音频放大电路:因具有较好的线性特性,可用于低频音频信号的前置放大或推动级放大。

4. 数字逻辑接口电路:在微控制器与外围设备之间实现电平转换或信号驱动,适用于嵌入式系统中的输入/输出接口。

5. LED照明驱动:用于恒流源设计或PWM调光控制,提供稳定的电流输出以驱动高亮度LED。

6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中的小型电源管理模块或传感器驱动电路。

该器件采用SOT-223封装,散热性能良好,适合表面贴装工艺,广泛应用于需要高效能与小型化设计的电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN LO SAT 60V 4.5A TO92-3TRANS NPN LO SAT 60V 4.5A TO92-3两极晶体管 - BJT 60V NPN Low Sat

产品分类

晶体管(BJT) - 单路晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes/ZetexDiodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN2010ASTZ--

数据手册

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产品型号

ZXTN2010ASTZZXTN2010ASTZ

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

210mV @ 200mA,5A210mV @ 200mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 2A,1V100 @ 2A,1V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3TO-92-3

功率-最大值

1W1W

包装

带卷 (TR)带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

130 MHz

安装类型

通孔通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-226-3,TO-92-3短身定形引线TO-226-3,TO-92-3短身定形引线

封装/箱体

E-Line

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPNNPN

最大功率耗散

1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,0002,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4.5A4.5A

电流-集电极截止(最大值)

--

直流电流增益hFE最大值

100 at 10 mA at 1 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 55 at 5 A at 1 V, 20 at 10 A at 1 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

150 V

集电极连续电流

4.5 A

频率-跃迁

130MHz130MHz

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