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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC2812N6-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC2812N6-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SC2812N6-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC2812N6-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC2812N6-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC2812N6-TB-E是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于模拟信号放大、电源控制、脉冲电路以及各类中小电流开关场合。 典型应用场景包括:音频放大器中的前置或驱动级放大,各类消费类电子产品(如电视、音响设备、电源适配器)中的信号处理与控制电路;在工业控制领域,可用于继电器驱动、LED驱动电路或作为小型电机的开关控制元件;此外,在DC-DC转换器、电源管理模块及脉宽调制(PWM)电路中也具有广泛应用。 该型号采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,适用于空间受限的便携式电子设备。其较高的增益和良好的频率响应特性,使其在高频信号处理中表现稳定。同时具备可靠的热稳定性和较低的饱和压降,有助于提高系统效率并降低功耗。 综上所述,2SC2812N6-TB-E广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理和通信设备等领域的信号放大与开关控制功能中,是一款性能稳定、可靠性高的通用型NPN晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC2812N6-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC2812N6-TB-E |
| PCN过时产品 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 135 @ 1mA,6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 300 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 系列 | 2SC2812N |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 55 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |