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  • 型号: NSV20101JT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSV20101JT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV20101JT1G价格参考。ON SemiconductorNSV20101JT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSV20101JT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSV20101JT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSV20101JT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型单晶体管,采用SOT-23封装,具有高可靠性与稳定性。该器件专为汽车级应用设计,符合AEC-Q101标准,适用于严苛的工业与车载环境。

其主要应用场景包括:  
1. 汽车电子系统:广泛用于车身控制模块、车灯驱动、继电器控制、电机驱动和电源管理等,因其具备良好的温度适应性(工作温度可达150°C),适合发动机舱内高温环境。  
2. 开关电路:由于具备较高的电流增益和快速开关特性,常用于低功率开关应用,如信号切换、逻辑驱动和小电流负载控制。  
3. 放大电路:在传感器信号调理或音频前置放大等模拟电路中,可用于小信号放大。  
4. 工业控制与消费电子:适用于各类需要可靠晶体管开关功能的设备,如电源转换模块、嵌入式控制系统和便携式设备中的驱动电路。

NSV20101JT1G具有低饱和压降和高击穿电压(VCEO=50V),可在较高电压下安全工作,同时具备优良的热稳定性和抗干扰能力,非常适合对可靠性要求高的场景。其无铅、绿色环保的设计也符合现代环保法规要求。总之,该型号是一款高性能、高可靠性的通用NPN晶体管,特别适用于汽车电子和工业控制领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN BIPO 20V 1A 89SC3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSV20101JT1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

220mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 100mA,2V

供应商器件封装

*

功率-最大值

255mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

NPN

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

350MHz

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