ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IXGT30N120B3D1
Datasheet下载- 型号： IXGT30N120B3D1
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGT30N120B3D1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGT30N120B3D1价格参考。IXYSIXGT30N120B3D1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT PT 1200V 300W Surface Mount TO-268。您可以下载IXGT30N120B3D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGT30N120B3D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 16ns/127ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
| 描述 | IGBT 1200V 300W TO268 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 87nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXGT30N120B3D1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GenX3™ |
| SwitchingEnergy | 3.47mJ（开），2.16mJ（关） |
| TestCondition | 960V， 30A， 5 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.5V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 100ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 输入类型 | 标准 |
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