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Datasheet下载- 型号： PBSS3540MB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS3540MB,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS3540MB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS3540MB,315价格参考。NXP SemiconductorsPBSS3540MB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 500mA 300MHz 250mW 表面贴装 DFN1006B-3。您可以下载PBSS3540MB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS3540MB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS3540MB,315 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能NPN型双极结型晶体管（BJT），采用超小型无铅DFN1006-3（SOT883）封装，具有低饱和压降（VCE(sat)典型值仅0.17 V @ IC=200 mA）、高电流增益（hFE = 200–450 @ IC=100 mA）及快速开关特性（tf < 10 ns）。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的负载开关：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED驱动、传感器供电控制等，得益于小尺寸、低功耗和高可靠性； ✅ DC-DC转换器与电源管理电路：用作同步整流开关或PWM控制级的驱动晶体管，提升能效； ✅ 电池供电系统的电平转换与信号调理：在3.3 V/5 V逻辑系统中实现I/O接口电平适配或弱信号放大； ✅ 工业与汽车电子中的基础开关应用：如车载LED灯控、小功率继电器驱动、ECU内部状态指示电路（符合AEC-Q101认证，具备一定车规可靠性）； ✅ 空间受限的IoT节点与传感器模块：DFN1006封装（1.0×0.6×0.5 mm）支持高密度PCB布局。 该器件不适用于大功率放大或高频射频场景，但凭借高性价比、稳定参数及NXP成熟的制造工艺，在中低功率、小信号开关与驱动领域具有广泛应用优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN两极晶体管 - BJT 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS3540MB,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS3540MB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 50mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10520-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | SOT883B |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 590 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 50 mV |
| 集电极连续电流 | - 500 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
