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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXT13P40DE6TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXT13P40DE6TA价格参考¥1.46-¥1.75。Diodes Inc.ZXT13P40DE6TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXT13P40DE6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXT13P40DE6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXT13P40DE6TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号具有特定的电气特性和应用场景,主要适用于以下领域: 1. 开关应用 - ZXT13P40DE6TA 可用作电子开关,广泛应用于需要高频开关操作的电路中,例如电源管理模块、信号切换电路等。 - 其低饱和电压和高增益特性使其在开关模式电源(SMPS)中表现出色。 2. 放大器设计 - 该晶体管适用于音频放大器和其他低噪声放大电路的设计。其高电流增益(hFE)和低噪声性能确保了信号放大的稳定性和保真度。 - 在多级放大器中,可作为前置放大器或驱动级使用。 3. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和负载检测等电路中,ZXT13P40DE6TA 可作为关键元件,用于监测和控制电流流动。 - 其额定电流和电压范围能够满足大多数中小功率保护电路的需求。 4. 电机驱动与控制 - 该晶体管可用于小型直流电机驱动电路,实现电机的启动、停止和速度调节功能。 - 在继电器驱动和电磁阀控制中也有广泛应用。 5. 通信设备 - ZXT13P40DE6TA 的高频特性使其适合于通信设备中的射频(RF)和中频(IF)信号处理电路。 - 可用于调制解调器、无线发射器和接收器等设备中的信号放大和处理。 6. 消费电子产品 - 在家用电器(如风扇、吸尘器)和便携式电子设备中,该晶体管常被用作功率放大器或驱动器。 - 其紧凑封装形式(如 SOT-23 或其他表面贴装封装)非常适合小型化设计需求。 总结 ZXT13P40DE6TA 的典型应用场景包括开关电路、放大器设计、保护电路、电机驱动、通信设备以及消费类电子产品。其高性能参数和可靠性使其成为许多电子设计中的理想选择。在具体应用时,需根据实际电路需求选择合适的偏置条件和外围元件,以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP LOSAT -40V -3A SOT23-6两极晶体管 - BJT 40V PNP SuperSOT4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXT13P40DE6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXT13P40DE6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 240mV @ 300mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | ZXT13P40DE6TR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7.5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 115 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 100 at 3 A at 2 V, 15 at 5 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 70 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 175 mV |
| 集电极连续电流 | - 3 A |
| 频率-跃迁 | 115MHz |