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  • 型号: 2SB1216T-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1216T-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1216T-H价格参考。ON Semiconductor2SB1216T-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1216T-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1216T-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为2SB1216T-H的晶体管由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,属于双极型晶体管(BJT)中的PNP类型。该晶体管常用于中功率放大和开关应用,具有良好的稳定性和可靠性。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器或电源开关电路中,作为控制元件实现电压或电流的调节与切换。

2. 电机驱动电路:在小型电机或风扇控制电路中,作为驱动晶体管使用,控制电机的启停或转速。

3. 继电器或负载开关驱动:用于驱动继电器、LED灯组或小型加热元件等负载,起到开关作用。

4. 音频放大电路:作为低频功率放大器的一部分,用于音频信号的放大处理。

5. 工业控制设备:常见于自动化控制系统、传感器信号调理电路中,用于信号放大或电平转换。

2SB1216T-H具有较高的电流增益和较好的热稳定性,适用于需要中等功率处理能力的电路设计,广泛应用于工业、汽车电子及消费类电子产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP BIPO 4A 100V TP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

2SB1216T-H

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 500mA,5V

供应商器件封装

TP

功率-最大值

1W

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

晶体管类型

PNP

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

130MHz

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