Datasheet下载- 型号： 2SB1188T100Q
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1188T100Q由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1188T100Q价格参考￥5.65-￥10.75。ROHM Semiconductor2SB1188T100Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1188T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1188T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM Semiconductor的2SB1188T100Q是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号主要应用于高频、高增益和大功率场景，具体应用场景包括但不限于以下领域： 1. 射频放大器：由于其出色的高频性能，2SB1188T100Q适用于射频信号放大，例如在通信设备中用于提升信号强度，确保数据传输的稳定性和可靠性。 2. 无线通信设备：该晶体管可广泛应用于基站、无线电收发模块等无线通信系统中，提供高效的功率放大功能。 3. 工业设备：在工业自动化领域，这款晶体管可用于驱动电路或控制电路中，实现对电机或其他负载的精确控制。 4. 医疗设备：在需要高精度和稳定性的医疗仪器中，如超声波设备或诊断仪器，该晶体管可以提供可靠的信号放大和处理能力。 5. 音频设备：在高端音频系统中，2SB1188T100Q可用于音频信号的放大，提供清晰且不失真的声音输出。 6. 电源管理：在开关电源或线性电源中，该晶体管可以用作功率放大元件，帮助实现高效的电能转换和管理。 总之，2SB1188T100Q凭借其优异的电气特性，适合应用于需要高性能、高可靠性的电子设备中，特别是在高频信号处理和功率放大方面表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89两极晶体管 - BJT PNP 32V 2A SO-89 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1188T100Q- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1188T100Q |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 800mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SB1188T100QDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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