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Datasheet下载- 型号： IRF7404TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF7404TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7404TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7404TRPBF价格参考￥1.98-￥2.13。International RectifierIRF7404TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 20V 6.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7404TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7404TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7404TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括：电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备。 该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和快速开关特性，适合在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中用于电源切换与节能控制。此外，IRF7404TRPBF常用于同步整流电路，在开关电源（SMPS）中提升整体能效。 由于其采用TSSOP-8封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，因此也广泛应用于通信设备、消费类电子和工业控制模块中。在热插拔电路和过流保护设计中，该MOSFET可作为理想的开关元件，实现对负载的安全控制。 总体而言，IRF7404TRPBF凭借其高性能和可靠性，适用于需要高效、小型化和低功耗设计的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 1.5 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7404TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7404TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 33.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.7 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7404TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 33.3 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 6.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.7A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7404.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7404.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
