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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP2120GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP2120GTA价格参考。Diodes Inc.ZVP2120GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVP2120GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVP2120GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVP2120GTA是一款P沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关和逻辑电平转换应用。其应用场景主要包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关,如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子产品,实现高效能电源控制。 2. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的控制电路中,作为高边或低边开关,提供快速开关响应。 3. LED照明:在LED驱动电路中作为调光或开关元件,适用于需要高可靠性和高效能的照明系统。 4. 工业控制:广泛应用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业自动化设备中,用于信号控制和功率切换。 5. 通信设备:在路由器、交换机等通信设备中用于电源转换和信号路径控制。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、车载娱乐系统等低功率汽车电子装置中的开关控制。 ZVP2120GTA采用SOT-223封装,具有较低的导通电阻、良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在空间受限和对散热有一定要求的设计中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET PCH 200V VERT DMOS SOT223MOSFET P-Chnl 200V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 200 mA |
Id-连续漏极电流 | - 200 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP2120GTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZVP2120GTA |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 欧姆 @ 150mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZVP2120GDKR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |