ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PBSS4041SP,115
Datasheet下载- 型号： PBSS4041SP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4041SP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4041SP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4041SP,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 5.9A 110MHz 2.3W Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS4041SP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4041SP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4041SP,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-666 封装，内含两个独立的 NPN 晶体管（共发射极配置），具备高增益（hFE 典型值 250@100mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 0.14 V @ IC = 100 mA）及高开关速度等特性。其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关控制：如打印机、扫描仪、POS终端中的继电器驱动、LED背光/指示灯阵列控制； 2. 逻辑电平转换与信号缓冲：在微控制器（如ARM Cortex-M系列）I/O口驱动能力不足时，用作数字信号放大与隔离； 3. 电源管理辅助电路：用于DC-DC转换器的使能控制、电源排序电路或负载开关的驱动级； 4. 工业传感器接口：驱动霍尔传感器、光电开关等有源器件的输出级，提升抗干扰能力与带载能力； 5. 消费电子板级设计：在空间受限的便携设备（如无线耳机充电仓、智能手表主板）中替代分立晶体管，节省PCB面积并提高装配可靠性。 该器件工作结温范围为 –65°C 至 +150°C，符合AEC-Q100 Grade 1（可选车规版本），亦适用于部分汽车电子辅助模块（如车身控制模块中的非安全相关开关功能）。需注意其最大集电极电流为 300 mA（每通道），不适用于大功率放大或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 5.9A 8SO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS4041SP,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 275mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-6408-6 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5.9A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 110MHz |
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