Datasheet下载- 型号： STD8NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD8NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD8NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTD8NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD8NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD8NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD8NM60N是一款高压、高速的N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路以及照明镇流器等高效率功率转换系统。 该器件耐压高达600V，适合用于交流市电供电的设备中，如工业控制电源模块、家用电器电源板和智能电表等。凭借低导通电阻（RDS(on)）和优良的开关特性，STD8NM60N能有效降低功耗，提高系统效率，适用于高频工作环境。 此外，它还广泛应用于电子镇流器、LED驱动电源及光伏逆变器等绿色能源领域，满足节能与环保要求。由于具备高雪崩耐量和良好的热稳定性，该MOSFET在瞬态电压冲击和恶劣工作条件下仍能可靠运行，适合工业级应用。 综上，STD8NM60N适用于需要高效、高可靠性和高电压隔离能力的中小功率电源系统，是现代电力电子设备中理想的功率开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STD8NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 650 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-7977-6 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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