ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDC655BN
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Datasheet下载- 型号： FDC655BN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC655BN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC655BN价格参考。Fairchild SemiconductorFDC655BN封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 6.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC655BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC655BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDC655BN是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET器件，广泛应用于低电压、低功耗的开关和放大电路中。其主要应用场景包括便携式电子设备、消费类电子产品及电源管理电路。 FDC655BN常用于手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中的负载开关、电源切换和电池管理模块，因其导通电阻低（典型值约0.1Ω），可有效减少功耗和发热。此外，该器件支持逻辑电平驱动，能直接由3.3V或更低电压的控制信号驱动，适用于微控制器（MCU）I/O口直接控制的场合。 在LED驱动电路中，FDC655BN可用于控制背光或指示灯的开关；在电机驱动、继电器驱动等中小功率负载控制中也表现出良好的响应速度和可靠性。由于采用SC-70或SOT-323小型封装，占用PCB空间小，适合高密度布局的便携式产品。 此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和静电防护能力，适用于工业控制、传感器模块、通信设备等对稳定性要求较高的环境。总体而言，FDC655BN凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，广泛应用于需要节能、紧凑设计的现代电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC655BNPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC655BN |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 6.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC655BN-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A （Ta） |
| 系列 | FDC655 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC655BN_NL |
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