Datasheet下载- 型号： CSD17506Q5A
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17506Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17506Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD17506Q5A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD17506Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD17506Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17506Q5A 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 电机驱动： CSD17506Q5A 适用于各种电机控制和驱动应用，例如无刷直流电机（BLDC）、步进电机和伺服电机。其低导通电阻（Rds(on)）特性可降低功率损耗，提高效率，特别适合工业自动化、家用电器和电动工具中的电机控制系统。 2. 电源管理： 该器件广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）。在这些应用中，CSD17506Q5A 的快速开关速度和低导通电阻能够显著提升转换效率，减少发热，并支持高频率操作以缩小系统尺寸。 3. 负载切换与保护： 在消费电子、通信设备和汽车电子中，CSD17506Q5A 可用作负载开关或保护电路的核心元件。它能够在过流、短路等异常情况下快速响应，提供可靠的保护功能。 4. 逆变器与太阳能系统： 该 MOSFET 可应用于光伏逆变器和其他可再生能源系统中，帮助实现高效的能量转换和管理。其优异的热性能和电气特性使其能够在恶劣环境下稳定运行。 5. 汽车电子： CSD17506Q5A 符合汽车级标准，适用于车载电子设备，如电动助力转向（EPS）、空调压缩机和车灯控制系统。其坚固的设计能够承受汽车环境中的振动、温度变化和其他严苛条件。 总结来说，CSD17506Q5A 凭借其卓越的性能参数（如低 Rds(on)、高电流处理能力和快速开关速度），非常适合需要高效功率转换和控制的应用场景，涵盖工业、消费、通信和汽车等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 8SONMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 库存产品核实请求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17506Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD17506Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| Qg-GateCharge | 8.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 5.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-28408-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 nS |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17506Q5A |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 76 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Tc） |
| 系列 | CSD17506Q5A |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |
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