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Datasheet下载- 型号： SI1967DH-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1967DH-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1967DH-T1-E3价格参考。VishaySI1967DH-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 1.3A 1.25W 表面贴装 SC-70-6（SOT-363）。您可以下载SI1967DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1967DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1967DH-T1-E3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，主要用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的应用。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：在电源管理系统中，SI1967DH-T1-E3可以用于降压或升压DC-DC转换器中的同步整流电路。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 - 负载开关：该器件可以用作负载开关，控制不同负载之间的电源分配，确保系统在不同工作模式下的稳定性和安全性。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动应用中，MOSFET阵列可以用于驱动电机的相位切换，实现高效的电机控制。SI1967DH-T1-E3的双通道设计使其适合用于两相或三相电机的部分驱动电路。 - 步进电机驱动：在步进电机驱动中，MOSFET阵列可以用于电流斩波控制，确保电机平稳运行并减少能耗。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护：在电池管理系统中，MOSFET阵列可以用于电池组的充放电保护电路。通过快速响应过流、短路等异常情况，保护电池免受损坏。 - 电量均衡：在多节电池串联的系统中，MOSFET阵列可以用于电池间的电量均衡，确保每节电池的电压保持一致，延长电池寿命。 4. 通信设备 - 信号调理：在通信设备中，MOSFET阵列可以用于信号调理电路，如开关滤波器或信号路径选择，以实现灵活的信号处理。 - 射频前端：在射频前端模块中，MOSFET阵列可以用于天线开关或功率放大器的控制，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 消费电子 - 便携式设备：在智能手机、平板电脑等便携式设备中，MOSFET阵列可以用于电源管理、充电控制和音频放大器的开关等功能，提供高效且可靠的性能。 - USB Type-C接口：在支持USB Type-C接口的设备中，MOSFET阵列可以用于实现双向电流传输和电压调节，确保数据和电力传输的安全性。 总之，SI1967DH-T1-E3凭借其低导通电阻、快速开关特性和紧凑的封装尺寸，广泛应用于各种需要高效功率管理和信号控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6MOSFET 20V 1.3A 1.25W 490mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68784 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1967DH-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1967DH-T1-E3SI1967DH-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 490 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 490 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 490 毫欧 @ 910mA，4.5V |
| 产品种类 | Dual MOSFETs |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A |
| 系列 | SI19xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI1967DH-E3 |
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