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  • 型号: SI1967DH-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1967DH-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1967DH-T1-E3价格参考。VishaySI1967DH-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.3A 1.25W 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1967DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1967DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6MOSFET 20V 1.3A 1.25W 490mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

1.3 A

Id-连续漏极电流

1.3 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?68784

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1967DH-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI1967DH-T1-E3SI1967DH-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

490 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

490 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 8 V

上升时间

27 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

110pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

490 毫欧 @ 910mA,4.5V

产品种类

Dual MOSFETs

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

1.25W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.3A

系列

SI19xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI1967DH-E3

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