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产品简介:
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Nexperia USA Inc. 的 BUK7510-100B,127 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效开关和功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压(100V)以及良好的热稳定性和可靠性,适用于多种电源管理和功率电子应用。 典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动电路:在电动工具、电动车或工业自动化设备中作为开关元件,控制电机的启停与速度。 3. 负载开关:用于智能电源管理,例如笔记本电脑、服务器或通信设备中的外设供电控制。 4. 电池管理系统(BMS):在锂电池充放电保护电路中作为主开关使用。 5. 照明系统:如LED驱动器中用于调光与电流控制。 6. 汽车电子:如车载充电器、车身控制模块等对可靠性和效率有较高要求的应用。 其封装形式为TO-220AB,便于散热设计,适合中高功率应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO220ABMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7510-100B,127TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK7510-100B,127 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 36 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6773pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 568-6620 |
典型关闭延迟时间 | 120 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | BUK7510-100B |