【未分类_IRFS4115-7PPBF】封装/厂家_IRFS4115-7PPBF中文资料_价格

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型号： IRFS4115-7PPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4115-7PPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4115-7PPBF价格参考。International RectifierIRFS4115-7PPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFS4115-7PPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS4115-7PPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFS4115-7PPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号主要应用于以下场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源（SMPS）：IRFS4115-7PPBF具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适合用于高效能的DC-DC转换器、AC-DC适配器等开关电源设计。
   - 电池充电管理：可用于锂离子电池或其他类型电池的充电电路中，控制充电电流和电压，确保充电安全和效率。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制：适用于家用电器（如风扇、水泵）、无人机、电动工具等中小型电机驱动电路，提供高效的功率转换和精确的电流控制。
   - H桥和半桥电路：在电机正反转或调速控制中，作为开关元件实现对电流方向和大小的调节。

 3. 工业自动化
   - 工业控制器：用于工业设备中的信号放大和功率切换，例如可编程逻辑控制器（PLC）的输出驱动。
   - 传感器接口：在工业传感器应用中，用作信号切换或负载驱动的开关。

 4. 汽车电子
   - 车载电子系统：如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等需要低功耗和高可靠性的应用场景。
   - LED驱动：用于汽车前大灯、尾灯或内部照明系统的LED驱动电路，提供稳定的电流输出。

 5. 消费类电子产品
   - 音频设备：在音响功放电路中，用作功率输出级的开关元件。
   - 便携式设备：如平板电脑、智能手机的外设（充电宝、扩展坞）中，用于功率管理和保护电路。

 6. 其他应用
   - 过流保护和负载开关：利用其快速开关特性和低导通损耗，实现对电路的保护功能。
   - 逆变器：在小型太阳能逆变器或UPS（不间断电源）中，作为核心功率开关器件。

综上所述，IRFS4115-7PPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景，尤其是在对能耗和散热要求较高的场合表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 11.8mOhms 73nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	105 A
Id-连续漏极电流	105 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4115-7PPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFS4115-7PPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	380 W
Pd-功率耗散	380 W
Qg-GateCharge	73 nC
Qg-栅极电荷	73 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	10 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	10 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	50 ns
下降时间	23 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5320pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	110nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	11.8 毫欧 @ 63A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK（7-Lead）
典型关闭延迟时间	37 ns
功率-最大值	380W
功率耗散	380 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	10 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
封装/箱体	D2PAK-7
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	73 nC
标准包装	50
正向跨导-最小值	93 S
汲极/源极击穿电压	150 V
漏极连续电流	105 A
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	105A （Tc）
闸/源击穿电压	20 V