| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD20N10-66L-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD20N10-66L-GE3价格参考。VishaySUD20N10-66L-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUD20N10-66L-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD20N10-66L-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD20N10-66L-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET,具有100V漏源电压和20A连续漏极电流,适用于中高功率开关应用。其低导通电阻(RDS(on))和优良的热性能使其在电源管理领域表现优异。 该器件广泛应用于电源适配器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机驱动电路中,特别适合要求高效能和小尺寸设计的设备。由于具备良好的开关速度和耐压能力,也常用于工业控制、消费类电子产品(如电视、电脑电源模块)及照明电源系统。 此外,SUD20N10-66L-GE3采用TO-263(D²PAK)封装,便于散热并支持表面贴装工艺,适合自动化生产,广泛用于需要高可靠性和稳定性能的工业与消费电子场景。其符合RoHS环保标准,适用于对环保有要求的产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SUD20N10-66L-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 66 毫欧 @ 6.6A, 10V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16.9A (Tc) |