Datasheet下载- 型号： SI4630DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4630DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4630DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4630DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4630DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4630DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4630DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制和低导通电阻的应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高可靠性和小型封装，适用于电池供电设备、负载开关、电源管理和电机控制等领域。 该 MOSFET 常见应用于以下场景： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，提高电源转换效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子产品，用于延长电池寿命并减少功耗。 3. 工业控制系统：用于电机驱动、继电器替代和自动化设备中的功率开关。 4. 通信设备：如网络交换设备和基站电源模块，提供稳定和高效的功率控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明控制和车载充电器等应用。 该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，同时具备良好的热性能和耐用性，适用于多种中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOICMOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73685 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4630DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4630DY-T1-GE3SI4630DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 122 ns, 93 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6670pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 161nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4630DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns, 60 ns |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4630DY-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
