ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > NE85633-T1B
Datasheet下载- 型号： NE85633-T1B
- 制造商： CEL
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-T1B由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-T1B价格参考。CELNE85633-T1B封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23。您可以下载NE85633-T1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85633-T1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85633-T1B是由品牌CEL生产的射频双极结型晶体管（RF BJT），主要应用于高频、低噪声的射频放大电路中。该器件特别适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的无线通信系统，如蜂窝基站、微波中继通信、无线局域网（WLAN）和宽带射频接收模块等。 由于其优异的低噪声系数和高增益特性，NE85633-T1B常被用于射频前端的低噪声放大器（LNA）设计，能够有效提升接收系统的灵敏度和信号质量。此外，该晶体管具备良好的线性度和稳定性，适合在需要高保真信号放大的场景中使用，例如雷达系统、卫星通信设备以及测试测量仪器中的射频信号处理单元。 NE85633-T1B采用小型化表面贴装封装，便于高密度电路板布局，广泛应用于紧凑型通信模块和便携式射频设备中。其可靠的性能和稳定的温度特性也使其能够在较宽的环境条件下稳定运行，适用于工业级和部分军用级应用需求。 总之，NE85633-T1B是一款高性能射频BJT，适用于对低噪声、高增益和高频响应有较高要求的现代通信与电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 1GHZ SOT-23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE85633-T1B |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | NE85633 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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