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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7810DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7810DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7810DN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7810DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7810DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7810DN-T1-GE3 是一款 N 沱沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度的特性,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,提供高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电路的通断以降低功耗。 - 电池管理系统 (BMS):用于电池充放电保护、电流监测和均衡。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于玩具、家用电器等场景中的电机驱动。 - H 桥电路:在双极性电机控制中作为开关元件,实现正转和反转。 3. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于充电电路、背光驱动和音频放大器的开关。 - 笔记本电脑适配器:在电源适配器中作为同步整流器或主开关管。 4. 通信设备 - 网络交换机和路由器:用于电源模块和信号调节电路。 - 基站电源:在电信基础设施中用于高效功率转换。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC):用于输入/输出接口的开关控制。 - 传感器接口:在工业传感器中作为信号切换元件。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和显示驱动。 - LED 照明:在汽车内外照明中用于驱动 LED 灯串。 - 辅助电源模块:为各种车载电子设备供电。 7. 其他应用 - USB 充电端口保护:防止过流和短路。 - 太阳能微逆变器:用于小功率光伏系统的能量转换。 SI7810DN-T1-GE3 的低 RDS(on) 和小封装(DFN3335-8L)使其非常适合空间受限且需要高效能的应用场景,同时其出色的热性能确保了在高电流条件下的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8MOSFET 100V 5.4A 3.8W 62mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7810DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7810DN-T1-GE3SI7810DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 62 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 62 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 62 毫欧 @ 5.4A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7810DN-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.4A (Ta) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7810DN-GE3 |