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  • 型号: MMBTA42LT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA42LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA42LT3G价格参考¥0.10-¥0.10。ON SemiconductorMMBTA42LT3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 500mA 50MHz 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBTA42LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA42LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor生产的MMBTA42LT3G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中高压晶体管。该器件采用SOT-23小信号封装,适合空间受限的高密度电路设计。

MMBTA42LT3G的主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中的驱动和控制环节,因其具备较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO=300V),可稳定工作于高压环境。

2. 高压开关应用:常用于驱动继电器、LED阵列、小型电机等负载,在工业控制和消费类电子产品中发挥开关作用。

3. 信号放大电路:在音频或低频信号处理中作为前置放大器使用,实现小信号的线性放大。

4. 逆变器与照明系统:应用于荧光灯镇流器、LED驱动模块等需要中高压操作的照明控制系统。

5. 消费电子与家电:广泛用于电视、显示器、空调控制板等设备中的逻辑控制和接口驱动电路。

该器件具有良好的热稳定性和可靠性,符合RoHS环保标准,并通过了无铅认证,适用于自动化贴装工艺。由于其高耐压、小封装和成本效益,MMBTA42LT3G在工业、消费类及通信设备中均有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 300V 500MA SOT-23两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTA42LT3G-

数据手册

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产品型号

MMBTA42LT3G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 2mA,20mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 30mA,10V

产品种类

Transistors Bipolar- General Purpose

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

10000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

300V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

25

系列

MMBTA42L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

300 V

集电极—基极电压VCBO

300 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

50MHz

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