Datasheet下载- 型号： PSMN4R2-30MLDX
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R2-30MLDX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R2-30MLDX价格参考￥1.49-￥1.49。NXP SemiconductorsPSMN4R2-30MLDX封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R2-30MLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R2-30MLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R2-30MLDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） PSMN4R2-30MLDX 的低导通电阻（典型值为 4.2mΩ）和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流的切换，适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等场景。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其低导通电阻特性，可以减少功率损耗并提高电机驱动效率，适合应用于家用电器、电动工具和自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 在需要快速开启或关闭负载的应用中，例如便携式电子设备、USB 充电端口保护电路等，PSMN4R2-30MLDX 可以用作高效的负载开关，提供低损耗和快速响应性能。 4. 电池管理 这款 MOSFET 常用于电池管理系统（BMS）中，用于电池充放电路径的控制。其低导通电阻有助于降低电池充放电过程中的能量损耗，同时支持过流保护功能。 5. 逆变器和太阳能系统 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，PSMN4R2-30MLDX 可作为功率开关元件，实现高效的能量转换和传输。其 30V 的耐压能力和大电流承载能力满足这些应用的需求。 6. 汽车电子 该 MOSFET 也可用于汽车电子系统中的各种开关和控制应用，例如车窗升降器、座椅调节器、冷却风扇控制等。其坚固的设计和可靠性能够适应严苛的汽车环境。 7. 工业自动化 在工业自动化领域，PSMN4R2-30MLDX 可用于继电器替代、电磁阀驱动和其他功率控制应用中，提供高效的功率切换解决方案。 总结来说，PSMN4R2-30MLDX 凭借其低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和能源管理等领域，特别适合需要高效功率切换和低损耗的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R2-30MLDX- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R2-30MLDX |
| Pd-PowerDissipation | 65 W |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| Qg-GateCharge | 29.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 2.2 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 18.5 ns |
| 下降时间 | 8.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1795pF 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-11376-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线） |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 70 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nextpowers3-mosfets/52333 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
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