Datasheet下载- 型号： STI360N4F6
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI360N4F6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI360N4F6价格参考。STMicroelectronicsSTI360N4F6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI360N4F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI360N4F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STI360N4F6是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。该器件常用于需要高效功率转换和控制的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于通信设备、服务器和工业控制系统中的高效电源模块。 2. 电机驱动：用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中，适用于工业自动化、电动工具和家电控制。 3. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统等，适用于新能源汽车和传统汽车中的功率控制单元。 4. 逆变器与变频器：用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、变频空调等设备中，实现电能形式的高效转换。 5. 消费类电子产品：如高功率LED照明、智能家电中的功率开关控制等。 该MOSFET适用于需要高效率、高频开关和良好热性能的设计，是工业与汽车领域中常用的功率器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STI360N4F6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17930pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 340nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 60A， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 497-14565-5 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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