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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD601-RT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD601-RT1价格参考。ON SemiconductorMSD601-RT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSD601-RT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSD601-RT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSD601-RT1是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 其典型应用场景包括:开关电路、信号放大电路、驱动小型负载(如LED、继电器)、逻辑电平转换以及各类低功率模拟与数字电路中的电流控制。由于具备良好的增益性能和快速开关特性,MSD601-RT1常用于电源管理模块、智能手机、平板电脑、无线通信模块及传感器接口电路中。 此外,该晶体管具有较低的饱和电压和较高的工作频率,适用于高频开关和节能设计。其小型化封装也使其非常适合空间受限的应用场合,如可穿戴设备和微型电子模块。总体而言,MSD601-RT1是一款高可靠性的通用晶体管,适用于多种低电压、低电流环境下的信号处理与控制任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS GP NPN 100MA 50V SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MSD601-RT1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 210 @ 2mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MSD601-RT1OSCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | - |