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  • 型号: DMG1013T-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1013T-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1013T-7价格参考¥0.21-¥0.24。Diodes Inc.DMG1013T-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 460mA(Ta) 270mW(Ta) SOT-523。您可以下载DMG1013T-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG1013T-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 460 mA

Id-连续漏极电流

- 460 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1013T-7-

数据手册

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产品型号

DMG1013T-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.27 W

Pd-功率耗散

270 mW

Qg-GateCharge

622.4 pC

Qg-栅极电荷

622.4 pC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 6 V

Vgs-栅源极击穿电压

6 V

上升时间

8.1 nS

下降时间

20.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

59.76pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.622nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

700 毫欧 @ 350mA,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-523

其它名称

DMG1013T-7-ND
DMG1013T-7DITR
DMG1013T7
Q4793597

典型关闭延迟时间

28.4 nS

功率-最大值

270mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-523

封装/箱体

SOT-523-3

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

0.9 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

460mA (Ta)

系列

DMG1013

配置

Single

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