ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFG540W,115
Datasheet下载- 型号： BFG540W,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG540W,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG540W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG540W,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 500mW Surface Mount 4-SO。您可以下载BFG540W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG540W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFG540W,115 是一款硅锗碳化物（SiGe:C）射频双极性晶体管（BJT），专为高频、低噪声应用设计。该器件主要用于无线通信系统中的射频放大环节，典型应用场景包括蜂窝基础设施（如基站接收模块）、微波点对点通信、卫星通信和宽带无线接入系统（如WiMAX）。其高增益、低噪声系数和优异的线性性能使其在接收前端和中频/射频放大电路中表现突出。 BFG540W,115 工作频率范围宽，适用于高达数GHz的频段，适合需要高性能信号放大的场合。它常用于低噪声放大器（LNA）和混频器前级，提升系统灵敏度和抗干扰能力。此外，该器件采用SOT363小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于紧凑型射频模块和便携式通信设备。 由于其稳定性和可靠性，BFG540W,115 也适用于工业级和室外环境下的通信设备，在温度变化较大的条件下仍能保持良好性能。总体而言，这款晶体管适用于对信号质量要求较高的现代射频系统，是无线基础设施和高性能通信模块中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 15V 9GHZ SOT343N射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG540W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG540W,115 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 40mA，8V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-SO |
| 其它名称 | 568-11109-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343 反向插针 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 120 mA |
| 零件号别名 | BFG540W T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
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