ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDMC8878_F126
Datasheet下载- 型号： FDMC8878_F126
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8878_F126由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8878_F126价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8878_F126封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 9.6A（Ta），16.5A（Tc） 2.1W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）。您可以下载FDMC8878_F126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC8878_F126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC8878_F126是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效能和高开关速度的电源管理系统中。 其主要应用场景包括：笔记本电脑和平板电脑中的电源管理单元（PMU）、DC-DC转换器、负载开关以及电池电源切换电路；在智能手机和其他便携式设备中用于电压调节模块（VRM），实现高效的电能转换与节能控制；还可用于LED背光驱动电路，提供稳定的电流控制。 此外，FDMC8878_F126也适用于服务器和通信设备中的同步整流、热插拔控制器及电源分配系统，凭借其低栅极电荷和优异的开关特性，有助于提升整体系统效率并减少发热。其封装紧凑（如PowerTSSOP-8或类似小型化封装），适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。 总之，FDMC8878_F126凭借低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，在消费电子、移动设备、计算设备和通信电源系统中具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V PWR33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDMC8878_F126 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1230pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 9.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 其它名称 | FDMC8878_F126DKR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 16.5A （Tc） |
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