Datasheet下载- 型号： PMST5551,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMST5551,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMST5551,115价格参考。NXP SemiconductorsPMST5551,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMST5551,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMST5551,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMST5551,115 是 NXP USA Inc. 推出的通用NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23超小型表面贴装封装，具有高电压（VCEO = 160 V）、中等电流（IC = 600 mA）、高增益（hFE 典型值 80–250 @ IC = 10 mA）及快速开关特性（fT ≈ 100 MHz）。其典型应用场景包括： 1. 信号放大：在消费电子（如音频前置放大、传感器信号调理电路）中用于小信号线性放大； 2. 开关控制：广泛用于LED驱动、继电器/蜂鸣器驱动、电源使能控制等中低功率数字开关应用； 3. 电源管理：在DC-DC转换器、LDO使能电路或负载开关中作为有源器件； 4. 接口逻辑电平转换与隔离：配合MCU GPIO实现3.3 V/5 V系统与高压外设间的电平适配与电气隔离； 5. 工业与汽车电子辅助电路：适用于AEC-Q101兼容设计（需选用对应车规版本），用于车载传感器接口、车身控制模块中的分立开关/放大环节。 该器件因体积小、成本低、可靠性高，常作为替代2N5551或MMBT5551的优选方案，适用于空间受限且对功耗与性能有均衡要求的便携式设备、IoT终端及嵌入式控制系统。注意：实际选型需结合散热条件、工作频率及可靠性等级（如工业级/车规级）确认具体型号后缀与认证信息。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 160V 300MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMST5551,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMST5551,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934051560115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 600 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 300mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 80 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极连续电流 | 300 mA |
| 零件号别名 | PMST5551 T/R |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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