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产品简介:
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SMMBT5551LT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),具体型号为 NPN 类型的小信号晶体管。其主要应用场景包括: 1. 放大电路: SMMBT5551LT3G 适用于音频、射频和其他低功率信号的放大应用。它具有较低的噪声和较高的增益,适合用于前置放大器或中频放大器。 2. 开关电路: 该晶体管可以作为电子开关使用,广泛应用于数字电路中的信号切换、继电器驱动和 LED 驱动等场景。其快速开关特性和低饱和电压使其在这些应用中表现出色。 3. 无线通信设备: 在低功率射频(RF)模块中,SMMBT5551LT3G 可用作信号调制和解调的放大元件,支持无线通信系统的稳定运行。 4. 消费电子产品: 包括遥控器、玩具、家用电器等需要小信号处理和低功耗控制的产品中,这款晶体管因其高可靠性和低成本而被广泛采用。 5. 电源管理: 在一些简单的电源管理电路中,如电池充电保护、电压检测和电流限制电路,SMMBT5551LT3G 可以发挥重要作用。 6. 传感器接口: 用于将传感器输出的微弱信号进行放大和处理,例如温度传感器、光敏传感器等的信号调理电路。 总结来说,SMMBT5551LT3G 的典型应用场景集中在低功率、小信号的放大和开关领域,适合各种便携式设备和消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SS NPN 160V HV SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMMBT5551LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | - |