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Datasheet下载- 型号： FDS5670
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS5670由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS5670价格参考。Fairchild SemiconductorFDS5670封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS5670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS5670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS5670 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件采用高性能Trench工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合在电源管理和负载开关等应用中使用。 其典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：FDS5670适用于各类降压（Buck）或升压（Boost）转换电路，作为主开关元件，实现高效的能量转换，广泛应用于笔记本电脑、服务器及通信设备的电源系统。 2. 负载开关与电源管理：由于其快速开关特性和低导通损耗，FDS5670可用于智能电源管理系统中的负载切换，如移动设备中的外设供电控制。 3. 电机驱动与功率开关：在小型电机控制、继电器替代方案或电池供电系统中，FDS5670可作为高效功率开关，提供稳定可靠的电流控制。 4. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路或充放电控制模块中，FDS5670用于控制充放电路径，确保电池安全运行。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准的版本也可用于车载系统，如车灯控制、电动窗驱动或车载充电器等应用。 综上，FDS5670凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域中的功率管理与开关控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOICMOSFET SO-8 N-CH 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS5670PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS5670 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS5670DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 39 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 系列 | FDS5670 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS5670_NL |
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