Datasheet下载- 型号： SI4812BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4812BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4812BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4812BDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4812BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4812BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4812BDY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装的特点，适用于对空间和效率要求较高的电子设备。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的电源开关，提升能效并延长电池寿命； 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中控制外设或模块的电源通断； 3. 电机驱动：用于小型电机或继电器的开关控制； 4. 保护电路：作为反向电流阻断或过载保护元件； 5. 工业控制：适用于自动化设备中的信号与电源切换。 其 SOT-223 封装便于散热和集成，适合高密度 PCB 设计。由于其优异的导通性能和可靠性，SI4812BDY-T1-E3 广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOICMOSFET 30V 9A 2.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4812BDY-T1-E3LITTLE FOOT® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4812BDY-T1-E3SI4812BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4812BDY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | Little Foot Plus |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 7.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
| 零件号别名 | SI4812BDY-E3 |
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